[发明专利]去法布里-珀罗伪谐振逆推复合材料电磁参数的方法在审

专利信息
申请号: 201910815314.X 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110534166A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 李红梅;蒋哲;祁嘉然 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G16C60/00 分类号: G16C60/00;G06F17/11;G01N33/00;G01N21/47
代理公司: 23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 张利明<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种去法布里‑珀罗伪谐振逆推复合材料电磁参数的方法,属于复合材料电磁参数获取技术领域。本发明针对现有复合材料电磁参数获取过程中,忽略了Fabry‑Pérot伪谐振所带来的电磁参数的畸变,使电磁参数的结果不准确的问题。包括对待测复合材料进行模拟;在模拟板层结构方向的两端分别接入波导端口,垂直照射模拟板,根据照射结果分别计算获得两种模拟板的散射参数模拟值;再计算获得相应模拟板的阻抗计算值;再计算获得模拟板厚度校正项;根据模拟板厚度校正项再计算获得待测复合材料的校正阻抗,进而确定待测复合材料的折射率,由待测复合材料的校正阻抗和折射率计算获得待测复合材料的电磁参数。本发明用于逆推复合材料的电磁参数。
搜索关键词: 复合材料 电磁参数 模拟板 谐振 厚度校正 阻抗 校正 折射率计算 垂直照射 接入波导 散射参数 阻抗计算 层结构 法布里 折射率 畸变 照射
【主权项】:
1.一种去法布里-珀罗伪谐振逆推复合材料电磁参数的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n对待测复合材料进行模拟,获得M层结构模拟板和N层结构模拟板;在两种模拟板层结构方向的两端分别接入波导端口,以入射平面波由模拟板表面分别垂直照射模拟板,根据照射结果分别计算获得两种模拟板的散射参数模拟值;/n根据两种模拟板的散射参数模拟值计算获得相应模拟板的阻抗计算值;/n根据两种模拟板的阻抗计算值相同,计算获得不同频率入射平面波对应的模拟板厚度校正项;/n根据模拟板厚度校正项再计算获得待测复合材料的校正阻抗,进而确定待测复合材料的折射率,由待测复合材料的校正阻抗和折射率计算获得待测复合材料的电磁参数。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910815314.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top