[发明专利]一种二阶非线性晶体的差频过程获取宽带光辐射的方法有效

专利信息
申请号: 201910814999.6 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110492346B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 张兆伟;冯玺 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01S3/108 分类号: H01S3/108;H01S3/091
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种二阶非线性晶体的差频过程获取宽带光辐射的方法,属于产生宽带光辐射领域。根据所需辐射光的最短波长和最长波长分别计算非线性晶体的起始周期和终止周期;将非线性晶体的一端周期设置为起始周期,其另一端周期设置为终止周期;且沿着非线性晶体的一端到另一端,非线性晶体的极化周期变化率为正或负;将泵浦光和信号光入射到二阶非线性晶体中,通过差频过程获取光辐射;泵浦光和信号光具有相同的重复频率;泵浦光的频率等于信号光和闲频光的频率之和;本发明采用啁啾周期方法获取的准相位匹配二阶非线性晶体的增益带宽范围,可以通过极化周期范围来控制,且在不用调谐的情况下,可以基于差频过程获得带宽更宽的中红外光源。
搜索关键词: 一种 非线性 晶体 过程 获取 宽带 光辐射 方法
【主权项】:
1.一种二阶非线性晶体的差频过程获取宽带光辐射的方法,其特征在于,包括:/n(1)根据所需光辐射的带宽和中心波长,选择泵浦光和信号光带宽及中心波长;/n且根据所需光辐射最短波长和最长波长分别计算二阶非线性晶体的起始周期和终止周期;/n(2)将所述二阶非线性晶体的一端周期设置为起始周期,其另一端周期设置为终止周期;且沿着非线性晶体的一端到另一端方向,非线性晶体的极化周期变化率为正或负;/n(3)将所述泵浦光和所述信号光入射到二阶非线性晶体中,通过调节所述泵浦光和所述信号光的相对时延,基于差频产生过程获取光辐射;/n其中,所述泵浦光和信号光具有相同的重复频率;所述泵浦光和所述信号光的相对时间延迟在预设范围内,且所述泵浦光和所述信号光的光斑在预设范围内重合。/n
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