[发明专利]基于CsPbBr3量子点-分子印迹介孔材料的敌敌畏的检测方法有效
| 申请号： | 201910814734.6 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110643043B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 梁勇;张立国;黄宁 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学;中山良创印迹材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/26 | 分类号： | C08G77/26;C08G77/06;C08J9/28;C08K3/16;B01J20/26;G01N21/64;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y40/00;C08L83/08 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 林玉芳;刘婉 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于CsPbBr3量子点‑分子印迹介孔材料的敌敌畏的检测方法，其包括以下步骤：制备CsPbBr3量子点‑分子印迹介孔材料；绘制“荧光淬灭强度‑敌敌畏浓度”标准工作曲线，算出工作方程；测定样品中敌敌畏的含量。本发明的方法检测灵敏度高、特异性强、检测时间短、检出限低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cspbbr3 量子 分子 印迹 材料 敌敌畏 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于CsPbBr3量子点-分子印迹介孔材料的敌敌畏的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：制备CsPbBr3量子点-分子印迹介孔材料；/nS2：绘制“荧光淬灭强度-敌敌畏浓度”标准工作曲线，算出工作方程；/nS3：测定样品中敌敌畏的含量。/n
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