[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910814434.8 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111081592B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 宫下直也;谷山智志 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置及半导体装置的制造方法，能够实质地消除对处理室内的压力进行控制的压力控制阀的机械误差并且容易地再现相同的工艺。基板处理装置具备：检测阀开度的传感器(150)；第一控制电路(122)，其基于传感器检出的阀开度以及处理室内的真空压力与真空压力目标值的偏差，输出用于控制阀开度的阀开度控制信号；第二控制电路(131)，其基于阀开度控制信号，输出用于控制向活塞的工作流体的供给的电空控制信号；以及量程调整电路，其以所述阀开度的上限成为开度比物理意义上的全开小的预定的全开的方式，调整所述第一控制电路或者第二控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
