[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提出一种阵列基板及其制造方法，涉及显示面板领域，阵列基板的制造方法包括以下步骤：S1：在基板上形成位于像素区的遮光层；S2：在步骤S1的基础上利用第一半透掩膜版进行图案化形成缓冲层、位于缓冲层上的源极、漏极、像素电极、导电沟道、栅极绝缘层和栅极；S3：在步骤S2的基础上形成覆盖像素区和端子区的介电层，并形成位于像素区源极上方的第一接触孔以及位于端子区栅极上方的第二接触孔；S4：在步骤S3的基础上形成位于第一接触孔和第二接触孔的上方的数据传输层；S5：在步骤S4的基础上形成覆盖像素区和端子区的绝缘保护层，并形成位于端子区数据传输层上方的第三接触孔；S6：在步骤S5的基础上形成覆盖像素区和第三接触孔的公共电极。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：在基板上沉积第一金属层，利用掩膜版进行图案化形成位于像素区的遮光层；/nS2：在步骤S1的基础上依次沉积第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层，利用第一半透掩膜版进行图案化形成缓冲层、位于缓冲层上的源极、漏极、像素电极、导电沟道、栅极绝缘层和栅极；/nS3：在步骤S2的基础上沉积第三绝缘层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和端子区的介电层，并形成位于像素区源极上方的第一接触孔以及位于端子区栅极上方的第二接触孔；/nS4：在步骤S3的基础上沉积第三金属层，利用掩膜版进行图案化形成位于第一接触孔和第二接触孔的上方的数据传输层；/nS5：在步骤S4的基础上沉积第四绝缘层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和端子区的绝缘保护层，并形成位于端子区数据传输层上方的第三接触孔；/nS6：在步骤S5的基础上沉积金属氧化物层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和第三接触孔的公共电极。/n