[发明专利]背照式图像传感器晶圆边缘无硅膜缺陷的工艺制程方法

摘要

本发明公开了一种背照式图像传感器晶圆边缘无硅膜缺陷的工艺制程方法，属于半导体制造领域，该方法通过将一片带有图像传感器的晶圆A和另一片承载晶圆B在常温常压下键合；键合后，使用机械磨边工艺去除两片晶圆边缘键合力弱的硅膜；键合后晶圆A机械减薄到规定厚度15μm‑40μm，显微镜宏观检查，背照式图像传感器边缘无硅膜破损问题发生。本发明在不增加工艺制造成本的同时，实现背照式图像传感器晶圆在机械研磨减薄对硅膜零损伤的可能性。

主权项

1.背照式图像传感器晶圆边缘无硅膜缺陷的工艺制程方法，其特征在于，包括如下步骤，且以下步骤按顺序进行：/n步骤一、提供待键合的晶圆A和晶圆B：晶圆A和晶圆B尺寸相同，晶圆A作为器件晶圆，内部具有背照式图像传感器，表面附着有二氧化硅膜，晶圆A的正面作为键合面，于晶圆A的键合面上设置有第一光刻标记；晶圆B作为承载晶圆，其表面附着有氧化层，晶圆B的正面作为键合面，于晶圆B的键合面上设置有第二光刻标记；/n步骤二、将晶圆A经过两道RCA清洗工艺清洗，去除表面颗粒，使得晶圆A表面颗粒度大于0.2μm的小于20颗；/n其中，第一道RCA清洗工艺，清洗时温度为80℃，清洗液使用过氧化氢H2O2、水H2O和氨水NH4OH的混合液，配比为过氧化氢H2O2：水H2O：氨水NH4OH＝1：4：50；第二道RCA清洗工艺，清洗时温度为35℃，清洗液使用氯化氢HCL、过氧化氢H2O2和水H2O的混合液，配比氯化氢HCL：过氧化氢H2O2：水H2O＝1：2：6；/n步骤三、第一光刻标记与第二光刻标记对准，将晶圆A和晶圆B在常温常压条件下键合，键合后第一光刻标记和第二光刻标记偏移度小于50μm，键合后的晶圆在充有氮气的烘箱中进行退火，退火温度300℃-400℃，退火时间1h-2h；/n步骤四、对键合后的晶圆A进行磨边处理，晶圆A边缘磨掉宽为2.5mm-3mm，深度725μm-745μm的硅，保证晶圆A表面大于0.2μm的颗粒少于20颗；/n步骤五、磨边后，对键合后晶圆A背面进行机械减薄，研磨至厚度为15μm-50μm，显微镜检查，键合后晶圆A边缘平滑无破损。/n