[发明专利]栅极的制造方法在审
| 申请号： | 201910808381.9 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110473834A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张书明;薛培堃;陈明志 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种栅极的制造方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有至少两个栅极，至少两个栅极中的每个栅极上形成有硬掩模层，每个栅极的周侧形成有侧墙；在衬底上生成金属硅化物；对侧墙进行修薄处理；在衬底上沉积接触刻蚀停止层；在接触刻蚀停止层上沉积低K氧化硅层；对低K氧化硅层、接触刻蚀停止层以及硬掩模层进行研磨，直至至少两个栅极的顶端暴露在外。本申请通过在生成金属硅化物后，采用研磨取代了繁琐的光阻回刻步骤，因此简化了制造工艺；同时，由于不需要执行光阻回刻步骤，解决了因为光阻回刻步骤所导致的栅极高度不同的问题，提高了制造工艺的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 接触刻蚀停止层 光阻 回刻 金属硅化物 氧化硅层 硬掩模层 制造工艺 研磨 侧墙 沉积 良率 申请 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有至少两个栅极，所述至少两个栅极中的每个栅极上形成有硬掩模层，所述每个栅极的周侧形成有侧墙；/n在所述衬底上生成金属硅化物；/n对所述侧墙进行修薄处理；/n在所述衬底上沉积接触刻蚀停止层；/n在所述接触刻蚀停止层上沉积低K氧化硅层；/n对所述低K氧化硅层、所述接触刻蚀停止层以及所述硬掩模层进行研磨，直至所述至少两个栅极的顶端暴露在外。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
