[发明专利]硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910807485.8 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110634990A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王伟;田宏波;赵晓霞;周永谋;宫元波;宗军 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜；在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜；沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此，上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶硅 硅异质结太阳电池 缓冲 基底 溅射沉积 导电 沉积 制备 非晶硅薄膜 制备性能 | ||
【主权项】：
1.一种硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在所述晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；/n在所述基底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜，形成所述缓冲ITO薄膜的过程中的功率密度为第一功率密度，靶电压为第一靶电压；/n在所述缓冲ITO薄膜远离所述晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜，形成所述导电ITO薄膜的过程中的功率密度为第二功率密度，靶电压为第二靶电压，/n其中，所述第一功率密度、所述第一靶电压、所述第二功率密度和所述第二靶电压满足以下条件的至少之一：/n所述第一功率密度小于所述第二功率密度；/n所述第一靶电压小于所述第二靶电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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