[发明专利]一种原位生长钙钛矿单晶薄膜制备垂直腔面发射激光器的方法和一种垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 201910806378.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110504618A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李艳平;田程;冉广照 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/04;C30B29/64;C30B29/12;C30B7/06 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 刘潇<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种原位生长钙钛矿单晶薄膜制备垂直腔面发射激光器的方法和一种垂直腔面发射激光器。本发明提供的方法使钙钛矿溶液中的溶剂在两片DBR片之间缓慢挥发，从而形成钙钛矿单晶，并且在两片DBR片的限制下，钙钛矿单晶在一个维度上生长，最终形成钙钛矿单晶薄膜。本发明提供的方法可以得到大面积高质量的钙钛矿单晶薄膜，与多晶薄膜相比，具有更好的发光性能和稳定性，并且原位生长出来的钙钛矿单晶薄膜与上下DBR片紧密接触，无残留气体层，所得垂直腔面发射激光器发光性能和稳定性好，波长和模式可调；本发明提供的制备方法步骤简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 单晶薄膜 垂直腔面发射激光器 发光性能 原位生长 单晶 激光器技术领域 制备方法步骤 多晶薄膜 气体层 无残留 波长 挥发 溶剂 可调 维度 制备 生长 | ||
【主权项】：
1.一种原位生长钙钛矿单晶薄膜制备垂直腔面发射激光器的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在一片分布布拉格反射镜片表面滴加钙钛矿溶液，然后将另一片分布布拉格反射镜片覆盖在钙钛矿溶液上，形成夹心结构；/n对所述夹心结构加压，在保护气氛条件下将夹心结构中钙钛矿溶液的溶剂挥发完全，所述溶剂挥发过程中在两片分布布拉格反射镜片的接触面原位生长钙钛矿单晶薄膜，得到垂直腔面发射激光器。/n
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