[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910805592.7 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110504323B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈金菊;蒋智;冯哲圣;廖小涵;王焱 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 成都智言知识产权代理有限公司 51282 | 代理人： | 濮云杉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种柔性薄膜晶体管及其制备方法。该器件自下而上包括底栅电极(4)、栅介质层(1)、源极(2)和漏极(3)、晶体管沟道层(5)。该柔性薄膜晶体管中，聚酰亚胺薄膜直接作为栅介质层；对聚酰亚胺薄膜进行表面处理后，分别在其两面喷印催化种子层，然后将其置于化学沉铜液中化学生长金属铜，分别在聚酰亚胺基板的两面形成铜源极(2)、铜漏极(3)和铜栅极(4)；采用喷墨印刷形成有源层。本发明形成柔性薄膜晶体管的方法简单、高效、成本低；所制备的柔性薄膜晶体管结构简单、电学性能优良、抗弯曲性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性薄膜晶体管，其特征在于：由下至上依次包括底栅电极(4)、绝缘栅介质层(1)、源漏电极阵列层和有源层(5)，所述绝缘栅介质层同时作为柔性薄膜晶体管的基底，所述源漏电极阵列层由源电极(2)和漏电极(3)组成的阵列构成。/n
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