[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质有效
| 申请号： | 201910803231.9 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110931386B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 江端慎也;平松宏朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，提高形成于基板上的膜的基板面内膜质均匀性。半导体装置的制造方法具有通过进行预定次数的循环而在基板上形成膜的工序，循环是非同时地进行(a)从第一供给部对处理室内的基板供给原料气体的工序和(b)从第二供给部对处理室内的基板供给反应气体的工序，在(a)中，在第一供给部内以及处理室内使原料气体分解而生成中间体，将该中间体供给至基板，并且此时，成为使第一供给部内的原料气体的分解量比处理室内的原料气体的分解量大的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
