[发明专利]一种提高抗击穿能力的MIM电容结构及制作方法在审
| 申请号： | 201910802461.3 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110676380A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 林锦伟;林伟铭;钟艾东;甘凯杰;翁佩雪;邓丹丹;赵玉会;吴恋伟 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高抗击穿能力的MIM电容结构的制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体器件外延片上制作绝缘区域；在绝缘区域上制作裸露的外延结构；在裸露的外延结构上制作下极板金属；沉积第一氮化物层；继续沉积第二氮化物层；在第二氮化物层上涂布聚酰亚胺层；制作上极板金属和保护层，保护层具有连接外接电路的连接点。本方案中第一氮化物层、第二氮化物层和聚酰亚胺层这三层形成保护环复合结构，能够提升MIM电容的抗击穿能力，并提高电容器件的抗水汽能力和可靠性，使MIM电容得到更大程度地利用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物层 制作 聚酰亚胺层 绝缘区域 外延结构 保护层 抗击穿 沉积 裸露 半导体器件 上极板金属 下极板金属 电容器件 复合结构 外接电路 水汽 连接点 外延片 三层 | ||
【主权项】：
1.一种提高抗击穿能力的MIM电容结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在半导体器件外延片上制作绝缘区域；/n在绝缘区域上制作裸露的外延结构；/n在裸露的外延结构上制作下极板金属；/n沉积第一氮化物层，并在下级板金属上面蚀刻出窗口，保留窗口外侧的第一氮化物层；/n继续沉积第二氮化物层，第二氮化物层覆盖第一氮化物层和下级板金属；/n在第二氮化物层上涂布聚酰亚胺层，并在下级板金属上方蚀刻出窗口；/n制作上极板金属。/n
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