[发明专利]一种球面电极微半球谐振陀螺仪及其制备方法有效
| 申请号： | 201910793419.X | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110530352B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王新龙;姜楠;王得收 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | G01C19/5691 | 分类号： | G01C19/5691 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P‑N‑P‑N结构层；P‑N‑P‑N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P‑N‑P‑N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 球面 极微 半球 谐振 陀螺仪 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽，其特征在于，所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P-N-P-N结构层；P-N-P-N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应。/n
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