[发明专利]用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法在审
| 申请号： | 201910788056.0 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110501356A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈柳;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/02 | 分类号： | G01N23/02;G01N23/2005;G01N1/28 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法，用FIB对连续的碳支持膜加工形成多个直径4～6μm的圆形孔洞，并在该圆形孔洞位置放置TEM样品，完成后续的TEM明场模式下观测样品。本发明能够有效地分辨和量测纳米级薄膜的厚度，提高TEM样品的制样效率。 | ||
| 搜索关键词： | 圆形孔洞 支持膜 纳米级薄膜 观测样品 位置放置 质量影响 有效地 量测 明场 制样 成像 分辨 加工 | ||
【主权项】：
1.一种用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法，其特征在于，用FIB对连续的碳支持膜加工形成多个直径4～6μm的圆形孔洞，并在该圆形孔洞位置放置TEM样品。/n
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