[发明专利]一种用于单片集成芯片的对接耦合方法有效
| 申请号： | 201910786704.9 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110718849B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王汉华;黄爽;许海明;刘建军;唐琦 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦芯片有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 代婵 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于单片集成芯片的对接耦合方法，包括：S1，在衬底上生产第一有源功能器件，该器件通过光场控制层将InP缓冲层分为两部分，通过控制第二缓冲层的生长厚度实现第一功能器件的有源区中心和第二功能器件的有源区中心完全对准；S2，沉积介质薄膜，通过光刻刻蚀定义第二功能器件，通过掩膜末端和光波导方向呈一定角度降低第一功能器件和第二功能器件界面处的反射；S3，采用刻蚀和选择性腐蚀方法去除第一功能器件部分区域；S4，将第一功能器件高温热处理，形成平滑的侧壁界面以及一定长度的undercut；S5，对接生长第二功能器件。其耦合效率高，传输特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单片 集成 芯片 对接 耦合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于单片集成芯片的对接耦合方法，其特征在于,包括如下步骤：/nS1)在衬底(1)上生长第一功能器件，该器件通过光场控制层将InP缓冲层分隔为上下两部分，通过控制上面部分的第二InP缓冲层(4)的生长厚度实现第一功能器件的有源区中心和第二功能器件的有源区中心完全对准；/nS2)在第一功能器件上沉积介质膜(9)，通过光刻刻蚀定义第二功能器件的位置和大小；/nS3)采用刻蚀和选择性腐蚀方法分步去除第一功能器件部分区域；/nS4)将经过步骤S3腐蚀后的第一功能器件进行高温热处理，热处理后会在介质膜(9)正下方形成最终底切形状(12)以及平滑的侧壁界面；/nS5)经过热处理后的第一功能器件，再进行降温处理，然后对接生长第二功能器件。/n
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