[发明专利]一种芯片硅生产用无尘加工工艺

摘要

本发明公开了一种芯片硅生产用无尘加工工艺，包括以下加工步骤：步骤a、拉晶，将原料至于坩埚内，待原料完全溶解后，将仔晶放于熔解物表面，进行拉晶操作，直至拉出较最终的晶圆片直径更大的单晶硅锭；步骤b、单晶硅锭的初加工；步骤c、晶圆切片；步骤d、晶圆无尘细加工；步骤e、刻蚀和清洗；步骤f、晶圆片抛光和清洗；步骤g、质量检测。有益效果在于：通过在晶圆加工过程中的边角磨光和表面研磨步骤针对研磨部位进行负压吸尘，可减少和消除晶元加工过程中产生的粉尘，从而在芯片硅生产过程中实现无尘加工，减少了加工过程中粉尘对设备运行的不良影响，且消除了在晶圆加工过程中粉尘附着对其表面的影响，提高了晶圆的加工质量。

主权项

1.一种芯片硅生产用无尘加工工艺，其特征在于，包括以下加工步骤：/n步骤a、拉晶，将原料至于坩埚内，待原料完全溶解后，将仔晶放于熔解物表面，进行拉晶操作，直至拉出较最终的晶圆片直径更大的单晶硅锭；/n步骤b、单晶硅锭的初加工，将步骤a中生成的单晶硅锭两端的端点切除么然后在其周向做直研磨，形成端面与最终晶圆片形状和直径一致的单晶硅切片原料；/n步骤c、晶圆切片，将步骤b中生成的单晶硅切片原料切片，形成晶圆切片粗料；/n步骤d、晶圆无尘细加工，将晶圆切片粗料进行边角磨光和表面研磨，在边角磨光和表面研磨过程中采用进行负压吸尘，消除边角磨光和表面研磨设备内部的粉尘；/n步骤e、刻蚀和清洗，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物对细加工后的晶圆表面进行刻蚀，消除晶圆无尘细加工步骤中表面产生的损伤和裂纹，并且将晶圆片的边缘磨圆；/n步骤f、晶圆片抛光和清洗，在超净间内使用细浆或抛光化合物对晶圆片进行表面抛光，消除上述加工步骤中晶圆片表面产生的微坑，而后送入清洗槽内清洗；/n步骤g、质量检测，对清洗后的晶圆片进行缺陷检测。/n