[发明专利]一种平面二极管的加工工艺在审
| 申请号： | 201910774375.6 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110444477A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 游佩武;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平面二极管的加工工艺。涉及平面二极管，尤其涉及一种平面二极管的加工工艺。提供了一种方便加工，提高产品质量和使用寿命的平面二极管的加工工艺。本发明在工作中，包括以下步骤：初始氧化、有源区光刻、有源区预沉积、初始氧化、高阻N+环光刻、环区磷扩散、刻引线孔和金属化，两次初始氧化中，一次氧化是扩散base，二次氧化是扩散N+环；而且，在有源区边缘一周注入一个磷环，形成一圈高浓度高高阻磷环；提升产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平面二极管 光刻 磷环 源区 扩散 二次氧化 使用寿命 一次氧化 源区边缘 金属化 磷扩散 引线孔 预沉积 高阻 环区 加工 | ||
【主权项】：
1.一种平面二极管的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤:S1、初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；S2、有源区光刻：将有源区区域氧化膜暴露出来，其它区域用光阻剂保护，有源区氧化膜去除；S3、有源区预沉积：使用BN扩散源扩散，在BASE区域预沉积P+；S4、初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；S5、高阻N+环光刻：将N+环区域氧化膜暴露出来，其它区域用光阻剂保护，环区氧化膜去除；S6、环区磷扩散：使用POCL3液态源扩散，在环区扩散N+；S7、刻引线孔：引线孔的氧化膜去除；S8、金属化：在晶片表面蒸镀TI/NI/AG层形成金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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