[发明专利]一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201910771732.3 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN110473580B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 肖建;张粮;郝慧杰;张小元;王宇;童祎;郭宇锋 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 吴旭
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元及其操作方法,可编程电路最小单元包括:阻变元件、MOS管、和地址寄存器;对最小单元中的相同功能区域的部分进行统一划分,并用使能端wl通过连接珊极进行统一控制,不同的功能区域忆阻器和MOS(1T1R),可以设置多个对应的{wl}进行使能控制打开;通过设置时钟周期clk和ctrol_information,以及Vs、Vd、wl的工作特点,实现了忆阻芯片中的忆阻器的定向编程、和格式化操作,有效提高忆阻器电路和芯片中忆阻器编码的可控性和效率。
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 芯片 可编程 电路 最小 单元 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元,其特征在于:包括1T1R组件、地址寄存器address_reg和使能端wl;/n所述地址寄存器address_reg分别接收输入信号Vs、时钟信号clk和控制寄存器的输出信号ctrol_information;所述1T1R组件包括忆阻器和MOS管,所述MOS管G极连接使能端wl;根据选取MOS管不同,1T1R组件内部连接方式可以分为以下两种:/n(1)MOS管选取NMOS管时,忆阻器连接MOS管S极,所述地址寄存器address_reg输出端连接MOS管D极;/n(2)MOS管选取PMOS管时,忆阻器连接MOS管D极,所述地址寄存器address_reg输出端连接MOS管S极。/n
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