[发明专利]一种半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910771575.6 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110544721A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 武建军 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 037002 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其是一种半导体材料的制备方法，包括以下步骤：S1：称取6～12g固定氧化锌，放入球磨机中球磨，过65～75目筛，得氧化锌粉末；S2：称取34～58g氮化镓加入到120～140mL质量分数92%硫酸溶液中对其进行搅拌，直至固体溶解得溶解液；S3：将氧化锌粉末加入到溶解液中，搅拌混合40～50min后静置2～4h；S4：将碳化硅的溶液加入到静置后的溶液中，对其进行搅拌10‑20min，然后再对其进行静置1‑3h,将滤渣过滤取出；本发明操作简单，在制造宽带隙半导体材料时，可以简化制造工序，缩短制造时间，提高了生产效率，具有较强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌粉末 溶解液 称取 球磨机 宽带隙半导体材料 半导体材料 半导体技术领域 简化制造工序 固体溶解 硫酸溶液 生产效率 质量分数 氮化镓 碳化硅 氧化锌 放入 滤渣 目筛 球磨 制备 过滤 制造 取出 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料的制备方法，包括以下步骤：/nS1：称取6～12g固定氧化锌，放入球磨机中球磨，过65～75目筛，得氧化锌粉末；/nS2：称取34～58g氮化镓加入到120～140mL质量分数92%硫酸溶液中对其进行搅拌，直至固体溶解得溶解液；/nS3：将氧化锌粉末加入到溶解液中，搅拌混合40～50min后静置2～4h；/nS4：将碳化硅的溶液加入到静置后的溶液中，对其进行搅拌10-20min，然后再对其进行静置1-3h,将滤渣过滤取出；/nS5：将滤渣按质量比3:6加入质量分数45%硝酸钠溶液中，浸泡1～3h后离心分离得沉淀物，用去离子水洗涤至中性后放入烘箱中，在100～125℃温度下干燥6～8h得干燥物，放入预热至850～950℃温度的马弗炉中，保温煅烧3～5min得煅烧物；/nS6：分别称取85～98g硫酸铁和13～18g氯化铁加入到550～570mL去离子水中，搅拌至固体溶解，用浓度为6mol/L氢氧化钠调节pH至为10，调节后加入3～5g上述煅烧物，放入水浴锅中，在45～55℃和300～500r/min转速下搅拌混合30～50min；/nS7：将上述分散后的混合液在40～50℃条件下保温晶化3～5h，晶化后抽滤，得滤渣，用去离子水洗涤3～5次后放入烘箱中，在60～80℃温度下干燥8～10h，干燥后球磨至粒径为0.5～0.7μm，得改性宽带隙；/nS8：将材料加入混料机混合，混合20～30min后加入双螺杆挤出机中，在挤出温度为168～188℃和模头温度为190～220℃条件下挤出造粒，即可得到宽带隙半导体材料。/n
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