[发明专利]一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备有效
| 申请号： | 201910769141.2 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111725040B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘梦;王跃林;李铁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;H01J1/46 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用的方法为聚焦离子束刻蚀。本申请所述的场发射晶体管的制备方法，可实现阵列式的发射尖端，有利于提高整体发射电流和电流稳定性。且经过聚焦离子束刻蚀可以形成更小的发射尖端，局部电场增强作用更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 晶体管 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
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