[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910766439.8 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110649137A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王孟源;曾伟强 | 申请（专利权）人： | 佛山市中昊光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/04;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区桂城街道深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、缓冲层、N型AlGaN层、渐变层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层。本发明通过缓冲层和渐变层来提升外延结构的晶体质量，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 缓冲层 渐变层 紫外发光二极管 发光效率 阻挡层 衬底 源层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管外延结构，其特征在于，包括依次设于衬底上的AlN层、缓冲层、N型AlGaN层、渐变层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，/n所述缓冲层由m个周期的AlN/AlGaN超晶格结构组成，m≥3，所述渐变层由n层N型AlGaN层组成，4≤n≤9，第1层和第n层的AlGaN层的Al含量相同；/n若n为单数，则第1层到第(n+1)/2层的AlGaN层的Al含量逐渐减少，第(n+1)/2层到第n层的AlGaN层的Al含量逐渐增加；/n若n为双数，则第1层到第n/2层的AlGaN层的Al含量逐渐减少，第n/2层到第n层的AlGaN层的Al含量逐渐增加。/n
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