[发明专利]半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910753221.9 申请日: 2019-08-15
公开(公告)号: CN110429083B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 杜益成;王猛;喻慧 申请(专利权)人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L21/822
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310051 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法,其中,所述半导体结构的隔离部件可以阻挡大部分的所述第一区域的第一载流子流到所述第二区域中,以及阻挡大部分第二区域中的第二载流子流到所述第一区域中,因此所述第一区域和第二区域中可以不设置的P型隔离环和N型隔离环,从而可以有效的减小所述隔离区域的面积,从而降低了整个所述半导体结构的面积。
搜索关键词: 半导体 结构 驱动 芯片 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体结构,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和第二区域之间隔离区域,位于所述隔离区域中的隔离部件,所述隔离部件用于复合由所述第一区域向所述第二区域方向流动的第一载流子,且用于抽取由所述第二区域向所述第一区域方向流动的第二载流子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽力杰半导体技术(杭州)有限公司,未经矽力杰半导体技术(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910753221.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top