[发明专利]半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法有效
| 申请号: | 201910753221.9 | 申请日: | 2019-08-15 |
| 公开(公告)号: | CN110429083B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
| 发明(设计)人: | 杜益成;王猛;喻慧 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法,其中,所述半导体结构的隔离部件可以阻挡大部分的所述第一区域的第一载流子流到所述第二区域中,以及阻挡大部分第二区域中的第二载流子流到所述第一区域中,因此所述第一区域和第二区域中可以不设置的P型隔离环和N型隔离环,从而可以有效的减小所述隔离区域的面积,从而降低了整个所述半导体结构的面积。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 结构 驱动 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和第二区域之间隔离区域,位于所述隔离区域中的隔离部件,所述隔离部件用于复合由所述第一区域向所述第二区域方向流动的第一载流子,且用于抽取由所述第二区域向所述第一区域方向流动的第二载流子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





