[发明专利]光刻工艺的对准方法有效
| 申请号： | 201910751453.0 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112394623B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 何伟明 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻工艺的对准方法，包括：提供一基底，所述基底包括衬底以及在衬底上形成的第一功能图形、对位标记和填充介质，所述第一功能图形、对位标记和填充介质的上表面均在第一平面内；在所述对位标记的外侧形成凹槽，所述凹槽的开口在所述第一平面上；在所述第一平面上形成第二功能层，所述第二功能层在所述凹槽上形成随形拓扑结构；依据所述随形拓扑结构侦测所述对位标记，完成对所述第二功能层的光刻和刻蚀。本发明通过在对位标记周围形成凹凸结构，并在第二功能层上形成随形拓扑结构，能够通过随形拓扑结构识别不透明薄膜下的对位标记位置，实现精准的光刻对位。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 对准 方法 | ||
【主权项】：
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