[发明专利]一种GaN基射频器件及其封装方法在审
| 申请号： | 201910746367.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110534496A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王洪;周泉斌;姚若河;陈家乐 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江裕强<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基射频器件及封装方法。所述器件包括DFN框架，所述DFN框架包括基岛、引脚栅极、引脚漏极和引脚源极，在电极方向上，引脚漏极位于基岛正面的左上方，引脚源极位于基岛正面的左下方，引脚栅极位于右下方，源极和栅极在同一水平线上；所述器件还包括GaN基射频芯片，GaN基射频芯片通过导电银浆固定在基岛上，GaN基射频芯片的内漏极、内源极和内栅极分别通过引线和DFN框架的引脚漏极、引脚源极和引脚栅极相应连接，分别作为器件漏极、器件源极和器件栅极；DFN框架外包裹有塑封料。所述封装方法选择小型化的DFN框架，通过塑料封装，使得生产成本降低、轻薄、加工简单、适合自动化生产，应用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 引脚 源极 漏极 射频芯片 基岛正面 基岛 封装 同一水平线 自动化生产 导电银浆 方法选择 器件栅极 射频器件 塑料封装 电极 轻薄 塑封料 内漏 内源 生产成本 加工 应用 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基射频器件，其特征在于，包括DFN框架，所述DFN框架包括基岛、引脚栅极、引脚漏极和引脚源极，在电极方向上，引脚漏极位于基岛正面的左上方，引脚源极位于基岛正面的左下方，引脚栅极位于基岛正面的右下方，引脚源极和引脚栅极在同一水平线上；所述器件还包括GaN基射频芯片，GaN基射频芯片通过导电银浆固定在基岛上，GaN基射频芯片的内漏极、内源极和内栅极分别通过引线和DFN框架的引脚漏极、引脚源极和引脚栅极相应连接，分别作为器件漏极、器件源极和器件栅极；DFN框架外包裹有塑封料。/n
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