[发明专利]一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910730634.5 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110508296A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 吴亿;相倩;李凡;陈文龙;马艳玲;施枫磊;邬剑波;邓涛;陶鹏;宋成轶;尚文 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B01J27/057 | 分类号： | B01J27/057;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 31225 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘燕武<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法，在化学气相沉积反应室内，采用半导体合成原料以化学气相沉积法在基底上沉积半导体材料，得到半导体材料与基底之间具有耦合界面的目的产物。与现有技术相比，本发明利用化学气相沉积制备出具有特定耦合界面的金属半导体复合物，该材料既具备了基底金属材料的优异电导性能和表面结构性质，同时又因其特殊的耦合界面，使得材料的电催化性能进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积 基底 耦合 制备 半导体复合材料 沉积半导体材料 半导体材料 表面结构性质 电催化性能 金属半导体 金属材料 合成原料 耦合界面 复合物 电导 半导体 室内 | ||
【主权项】：
1.一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法，其特征在于，在化学气相沉积反应室内，采用半导体合成原料以化学气相沉积法在基底上沉积半导体材料，得到半导体材料与基底之间具有耦合界面的目的产物。/n
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