[发明专利]一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910730427.X | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110416308B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐琳;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法，其中，所述碳纳米管三维鳍状晶体管是一种以狄拉克二维半金属为源漏极的基于内嵌栅鳍的晶体管结构，这种结构的碳纳米管三维鳍状晶体管在具有较小尺寸的同时，能够降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应，这是因为狄拉克二维半金属具有二维的超薄结构，将其作为碳纳米管三维鳍状晶体管的源极和漏极材料可以减小源漏极对于栅结构中的栅电极的静电屏蔽作用，从而降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应。另外，所述碳纳米管三维鳍状晶体管可以通过在内嵌金属栅鳍上施加电压，从而影响沟道内的电势分布，进而实现对器件阈值的分立调控作用，实现动态控制器件阈值的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 三维 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管三维鳍状晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上多个分立的金属鳍，所述多个金属鳍沿平行于所述衬底表面的第一方向排布；覆盖所述金属鳍以及相邻所述金属鳍之间的衬底表面，且沿第二方向延伸的栅结构；所述栅结构中设置有多根沿第二方向延伸的碳纳米管；分别位于所述栅结构第二方向两侧的源极和漏极，所述源极和漏极均为狄拉克二维半金属形成的电极；所述第一方向和所述第二方向垂直。
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