[发明专利]去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910730356.3 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110391135B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 熊易斯 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法，所述去除光刻胶残留的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。本发明的技术方案使得晶圆的边缘区上的光刻胶层被完全去除，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 残留 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种去除光刻胶残留的方法，用于去除某光刻工艺下的晶圆边缘残留的光刻胶，其特征在于，所述去除光刻胶残留的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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