[发明专利]一种预防闪存数据读取错误的方法在审
| 申请号： | 201910728685.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110534152A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 樊凌雁;杨正洁;刘海銮 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/34;G11C16/26 |
| 代理公司： | 33233 浙江永鼎律师事务所 | 代理人： | 陆永强<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了预防闪存数据读取错误的方法，包括以下步骤：S20，对每个闪存块读操作次数进行计数；S21，对每个闪存块的擦除次数进行计数；S22，对每个闪存块写操作次数进行计数；S23，对每个闪存块数据保存时间进行计时；S24，建立读操作、写操作、擦除次数和数据保存时间与对实际阈值电压干扰的关联表；S25，根据关联表查找对应NAND闪存芯片的实际阈值电压；S26，通过NAND闪存芯片的设置功能调节阈值电压至查找到的实际阈值电压；S27，进行读操作。本发明将闪存芯片读错误由事后补救转变为提前预防，减少出错数目，且不影响读取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值电压 闪存块 读操作 数据保存 关联表 写操作 擦除 读取 读取效率 功能调节 闪存数据 闪存芯片 预防 补救 出错 计时 查找 | ||
【主权项】：
1.一种预防闪存数据读取错误的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS20，对每个闪存块读操作次数进行计数；/nS21，对每个闪存块擦除次数进行计数；/nS22，对每个闪存块写操作次数进行计数；/nS23，对每个闪存块数据保存时间进行计时；/nS24，建立读操作、写操作、擦除次数和数据保存时间与对实际阈值电压干扰的关联表；/nS25，根据关联表查找对应NAND闪存芯片的实际阈值电压；/nS26，通过NAND闪存芯片的设置功能调节阈值电压至查找到的实际阈值电压；/nS27，进行读操作。/n
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