[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910726276.0 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668157B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 野口裕司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一实施方式的半导体装置具备：半导体基板；多个导电层，在半导体基板上沿第1方向延伸，并且在与第1方向垂直的第2方向上隔开间隔，且在相对于所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向上积层；以及钝化膜，设置在多个导电层上。钝化膜具有凸部与凹部沿第2方向重复的所述第3方向上的凹凸形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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