[发明专利]一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺

摘要

本发明涉及碱抛激光选择性发射极领域。一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺，整体工艺按照，制绒—扩散制结—去背PSG+碱抛—前表面激光掺杂—扩散推进+氧化—正面氮化硅膜—背面氮化硅膜—背面开膜—印刷；在扩散制结过程中，首先进行磷源沉积，沉积压力100‑120mbar，沉积温度780‑800℃，通大氮流量800‑1000sccm，携磷源小氮流量600‑800sccm，氧气流量550‑650sccm，沉积时间15‑18min，低温推进PN结，推进压力100‑120mbar，温度800‑830℃，通大氮流量1400‑1600 sccm，通氧气流量450‑650sccm，时间5‑8min。

主权项

1.一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺，其特征在于：整体工艺按照，制绒—扩散制结—去背PSG+碱抛—前表面激光掺杂—扩散推进+氧化—正面氮化硅膜—背面氮化硅膜—背面开膜—印刷；在扩散制结过程中，首先进行磷源沉积，沉积压力100-120mbar，沉积温度780-800℃，通大氮流量800-1000sccm，携磷源小氮流量600-800sccm，氧气流量550-650sccm，沉积时间15-18min，低温推进PN结，推进压力100-120mbar，温度800-830℃，通大氮流量1400-1600 sccm，通氧气流量450-650sccm，时间5-8min； 方阻控制在200-240Ω/□；前表面激光掺杂，使用532nm波长的绿光，调制频率200-220kHz，打标功率38-39W，光斑为120μm的正方形，打标速度24100mm/min，激光掺杂处方阻控制在150-180Ω/□；扩散推进+氧化，首先进行扩散推进，使用高温扩散炉，升温至845-855℃，炉管内压力100-120mbar，通大氮流量1500-1800 sccm，通氧气流量500-700sccm，时间20-25min；低温氧化：沉积温度750-780℃，压力100-120mbar，通沉积氧流量5000-5500sccm，时间15-20min。/n