[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910724248.5 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110828572B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 富田英幹;森朋彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/207;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。需要抑制漂移区域、JFET区域、以及主体区域这3个区域相接的部分中的绝缘破坏的技术。半导体装置具备半导体层、设置于半导体层的一方的主面上的源电极、设置于半导体层的另一方的主面上的漏电极、以及绝缘栅部，半导体层具有：第1导电类型的漂移区域；第1导电类型的JFET区域，设置于漂移区域上；第2导电类型的主体区域，设置于漂移区域上且与JFET区域邻接；以及第1导电类型的源区域，通过主体区域从JFET区域隔开，绝缘栅部和隔开JFET区域与源区域的部分的主体区域相向，在半导体层内形成有空隙，漂移区域、JFET区域、以及主体区域在空隙露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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