[发明专利]误差放大器

摘要

本发明公开了一种误差放大器。误差放大器包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第六NMOS管、第一电容、第二电阻和第二电容。为了保证电源芯片的稳定性，在误差放大器电路的输出端EAOUT接一个较大的所述第二电容来进行芯片的稳定性补偿。

主权项

1.误差放大器，其特征在于：包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第六NMOS管、第一电容、第二电阻和第二电容；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接反馈电压端FB，漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极接带隙基准电压VREF，漏极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端和所述第六NMOS管的栅极，源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端和所述第六NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端和所述第六NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第六NMOS管的栅极，源极接地；所述第五NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极，源极接地；所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五NMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第六PMOS管的栅极接所述第五NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第六NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端并作为误差放大器电路的输出端EAOUT，源极接电源电压VCC；所述第六NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端，漏极接所述第六PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端并作为误差放大器电路的输出端EAOUT，源极接地；所述第一电容的一端接所述第六NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，另一端接地；所述第二电阻的一端接所述第六PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极并作为误差放大器电路的输出端EAOUT，另一端接所述第二电容的一端；所述第二电容的一端接所述第二电阻的一端，另一端接地。