[发明专利]一种低钳位电压单向TVS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910708894.2 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110459593A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;王超 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L27/07;H01L21/329 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡剑辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 230031安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低钳位电压单向TVS器件，包括P型半导体衬底、位于TVS器件两侧的N型隔离区，TVS器件的中部设有P型半导体衬底，所述P型半导体衬底的两侧设有N型隔离区，所述P型半导体衬底的上部设有N型上掺杂区，所述N型上掺杂区的两侧设有P型掺杂区，所述P型半导体衬底的下部设有N型下掺杂区；通过在传统单向TVS二极管中集成了一个NPN三极管，利用了NPN三极管反向击穿负阻效应，实现了在浪涌电流增加时，可以有效降低单向TVS器件的钳位电压，使得被保护电路可以正常工作，增加了电路的使用寿命，减少了后端电路发生损坏或者误操作的可能性，提高了电路的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 掺杂区 电路 钳位电压 隔离区 反向击穿 负阻效应 后端电路 浪涌电流 使用寿命 误操作 | ||
【主权项】：
1.一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于，包括P型半导体衬底(1)、N型隔离区(2)和N型上掺杂区(3)；/nTVS器件的中部设有P型半导体衬底(1)，所述P型半导体衬底(1)的两侧设有N型隔离区(2)，所述P型半导体衬底(1)的上部设有N型上掺杂区(3)，所述N型上掺杂区(3)的两侧设有P型掺杂区(4)，所述P型半导体衬底(1)的下部设有N型下掺杂区(5)；/n所述P型半导体衬底(1)的上端表面设有上金属层(7)，所述上金属层(7)的两端设有二氧化硅上绝缘层(6)，所述P型半导体衬底(1)的下端表面设有下金属层(9)，所述下金属层(9)的两端设有二氧化硅下绝缘层(8)；/n所述上金属层(7)上设有阳极电极(10)，所述下金属层(9)上设有阴极电极(11)。/n
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