[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910708685.8 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112310209A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘利书;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李强;张颖玲 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。其中，所述场效应晶体管包括：第一半导体材料层，第二半导体材料层，源极，以及漏极，其中：所述第一半导体材料层上的朝向所述第二半导体材料层的一侧形成有二维电子气2DEG通道；所述源极与所述漏极分别电连接到所述2DEG通道的两侧；所述漏极至少与所述第二半导体材料层直接电连接；所述第二半导体材料层的禁带宽度大于所述第一半导体材料层的禁带宽度；沿所述2DEG通道与所述源极电连接的一侧到与所述漏极电连接的一侧的方向上，所述第二半导体材料层的禁带宽度递减。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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