[发明专利]晶体硅锭的制备方法在审
| 申请号： | 201910703334.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110295391A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;陈红荣;张华利;游达 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06;C30B11/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 朱志达 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅锭的制备方法，包括：在坩埚的底部中央铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在单晶籽晶层的四周分别依次铺设多个籽晶条，籽晶条与籽晶及相邻籽晶条之间相互接触的侧面晶向均不相同；在籽晶条与坩埚的侧壁之间的区域铺设多晶籽晶，形成多晶籽晶层；在单晶籽晶层、籽晶条及多晶籽晶层上设置硅料，加热熔化，控制坩埚内的温度，使单晶籽晶层、籽晶条及多晶籽晶层不完全熔化；形成由下向上逐步升高的温度梯度，使硅液在中心区域沿单晶籽晶的晶向定向凝固，边缘区域在多晶籽晶层形核生长，得到中间为单晶边缘为多晶的晶体硅锭。边缘区域多晶的生长被相邻的籽晶条所阻挡，阻隔了多晶向中心区域生长，增加了单晶面积，改善了边锭位错。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 多晶 单晶籽晶 籽晶层 晶体硅锭 坩埚 边缘区域 中心区域 铺设 单晶 晶向 制备 熔化 底部中央 定向凝固 加热熔化 温度梯度 形核生长 生长 侧壁 锭位 硅料 硅液 阻隔 升高 阻挡 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚的底部中央铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在所述单晶籽晶层的四周沿远离所述单晶籽晶层的方向分别依次铺设多个籽晶条，所述籽晶条与籽晶及相邻籽晶条之间相互接触的侧面晶向均不相同；在所述籽晶条与所述坩埚侧壁之间的区域铺设多晶籽晶，形成多晶籽晶层；在所述单晶籽晶层、籽晶条及多晶籽晶层上设置硅料，加热熔化，控制所述坩埚内的温度，使所述单晶籽晶层、籽晶条及多晶籽晶层不完全熔化；控制所述坩埚内的温度，沿垂直于坩埚底部的方向形成由下向上逐步升高的温度梯度，使熔化的硅液在中心区域沿所述单晶籽晶的晶向定向凝固，边缘区域在多晶籽晶层形核生长，得到中间为单晶边缘为多晶的晶体硅锭。
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