[发明专利]一种硫化铟基杂质带半导体及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种构建In2S3杂质带半导体的方法，以In2S3半导体为母体化合物，采用Ge元素掺杂In2S3半导体的In位，获得In2S3杂质带半导体。与现有技术相比，本发明采用性能优异的In2S3为基底材料，通过IV族元素Ge掺杂In2S3的In位，从而在母体带隙中引入一条杂质带，增加了电子的跃迁路径，拓宽了吸收光谱，增强了原材料的光学吸收，使其可以直接用作太阳能电池吸收材料，对太阳能源的发展具有实际意义；理论计算的In2S3与Ge掺杂In2S3的吸收光谱显示，本征半导体只有一个吸收边，掺入Ge后，出现新的吸收边，吸收曲线在低于带隙的能量区域开始显著增强；本发明中的Ge掺杂的In2S3半导体材料制备方法简单，可实现工业化的大规模生产。

主权项

1.一种制备In₂S₃杂质带半导体的方法，其特征在于，以In₂S₃半导体为母体化合物，采用Ge元素掺杂In₂S₃半导体的In位，获得In₂S₃杂质带半导体。