[发明专利]一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法有效
| 申请号： | 201910700991.7 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110429085B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 江安全;汪超;柴晓杰;江钧 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L27/11509;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三位 存储器 制备 方法 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电三位存储器，包括铁电薄膜层(103)、铁电存储单元(105)和读写电极层(107)，所述铁电存储单元(105)设置于铁电薄膜层(103)上方，所述读写电极层(107)被间隙(109)分割成两部分，形成第一电极(107A)和第二电极(107B)，其特征在于，所述第一电极(107A)和第二电极(107B)中至少之一搭在所述铁电存储单元(105)表面的长度大于零且小于铁电存储单元(105)的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
