[发明专利]一种日盲光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910698160.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556452B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 孙海定;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/032 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种日盲光电探测器的制备方法，包括：S1，以氩气为载气，三乙基镓和氧气为反应前驱物，在衬底上生长氧化镓，以得到第一相混合第二相的初级氧化镓晶片；S2，在所述初级氧化镓晶片上旋涂紫外光刻胶，并在所述旋涂紫外光刻胶初级氧化镓晶片上刻蚀出电极区域；S3，在所述电极区域生长金属电极；S4，去除所述紫外光刻胶。另一方本公开提供了一种日盲光电探测器。本申请中的日盲光电探测器采用混合相氧化镓为主要组成部分，该混合相氧化镓具有低暗流，高响应度等优点。另，使用金属有机物化学气相沉积法制备氧化镓外延层，这种方法具有可大规模生产、对产物质量的调控能力强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种日盲光电探测器的制备方法，包括：/nS1，以氩气为载气，三乙基镓和氧气为反应前驱物，在衬底上生长氧化镓，以得到第一相混合第二相的初级氧化镓晶片；/nS2，在所述初级氧化镓晶片上旋涂紫外光刻胶，并在所述旋涂紫外光刻胶的初级氧化镓晶片上刻蚀出电极区域；/nS3，在所述电极区域生长金属电极；/nS4，去除所述紫外光刻胶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
