[发明专利]一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法有效
| 申请号： | 201910697712.6 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110707320B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李洪森;赵忠晨;胡正强;郭向欣 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M10/054 |
| 代理公司： | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人： | 刘熙 |
| 地址： | 266071 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法，所述微米片为由二维过渡金属硫化物纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的二维过渡金属硫化物纳米片之间存在孔隙。在本申请实施例中，由于微米片为由纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的纳米片之间存在较多的孔隙，因此，该微米片拥有较大的比表面积，进而拥有较大的放电比容量。另外，二硫化钨具有较大的层间距(d＝0.62nm)和较弱的范德瓦尔斯力，从而使材料在铝离子的嵌入/脱出过程中不会产生较大形变，此外，相较于其他过渡金属二硫化物，二硫化钨拥有较高的本征电导率，所以更适合用作铝离子电池的正极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 硫化物 微米 正极 电池 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维过渡金属硫化物微米片，其特征在于，所述微米片为由二维过渡金属硫化物纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的二维过渡金属硫化物纳米片之间存在孔隙。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛大学，未经青岛大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910697712.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
