[发明专利]PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法有效
| 申请号： | 201910695641.6 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110284188B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 高卫;李召永;王建江;王毅;赵丽霞;吴会旺;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种PVT法制备碳化硅用坩埚，属于晶体生长技术领域，包括底板；顶盖；以及至少两个筒体，同轴设置且由下至上依次排布，相邻两个筒体可拆卸连接，至少两个筒体组装成坩埚筒，且至少两个筒体的电阻率不完全相同；其中，位于最下方的筒体与底板可拆卸连接，位于最上方的筒体与顶盖可拆卸连接；各筒体分别为石墨筒体；底板、坩埚筒和顶盖围成反应腔；任一筒体被替换为电阻率不同于该筒体的另一筒体时，反应腔内与该筒体对应区域的温度发生相应改变。本发明还提供了一种调节坩埚温度场的方法。本发明提供的PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法，实现了温度场的快速简易定向调节。 | ||
| 搜索关键词： | pvt 法制 碳化硅 坩埚 调节 温度场 方法 | ||
【主权项】：
1.PVT法制备碳化硅用坩埚，其特征在于，包括：底板；顶盖；以及至少两个筒体，同轴设置且由下至上依次排布，相邻两个所述筒体可拆卸连接，至少两个所述筒体组装成坩埚筒，且至少两个所述筒体的电阻率不完全相同；其中，位于最下方的所述筒体与所述底板可拆卸连接，位于最上方的所述筒体与所述顶盖可拆卸连接；各所述筒体分别为石墨筒体；所述底板、所述坩埚筒和所述顶盖围成反应腔；任一所述筒体被替换为电阻率不同于该所述筒体的另一所述筒体时，所述反应腔内与该所述筒体对应区域的温度发生相应改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北普兴电子科技股份有限公司，未经河北普兴电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910695641.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
