[发明专利]一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺

摘要

本发明涉及一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺，包括以下步骤：(1)恒定源硼旋涂；(2)烘干；(3)进舟于炉管内；(4)检漏；(5)升温氧化；(6)无氧推进；(7)高温氧化；(8)降温；(9)低温乘积硼源；(10)低温推进；(11)出舟；(12)激光掺杂。本发明通过恒定源硼推进与气体硼源掺杂的共同作用，一方面形成了轻掺杂区域，拥有较高表面浓度浅结的结构，可有效地提升电池的开路电压和短路电流；另一方面用激光进行二次掺杂形成重掺杂区域，可有效的改善欧姆接触，提升填充因子。

主权项

1.一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺，其特征在于：包括以下步骤，/n(1)恒定源硼旋涂，将浸润液和硼源利用旋涂的方式分步旋于硅片上；/n(2)烘干，于链式机上，温度120-250℃，烘干时间30-80s；/n(3)进舟，温度维持在750-850℃，氮气流量为1000-2500sccm，时间6-15min；/n(4)检漏，通入氮气流量1000-2500sccm，压力控制在100-200pa；/n(5)升温氧化，氧化分解硼旋涂液的有机物；/n(6)无氧推进，控制硼扩散的前表面的起始浓度；/n(7)高温氧化，控制硼扩散的结深；/n(8)降温，控制硼扩散的富硼层；/n(9)低温乘积硼源，；/n(10)低温推进，将硼源掺入到硼硅玻璃上，温度维持至750-850℃，通入氮气流量1000-2500sccm，时间2-12min；/n(11)出舟，温度维持在750-850℃，氮气流量为1000-2000sccm，时间6-15min，最终将硅片取出；/n(12)激光掺杂，将硅片的硼扩面放入台面上，设计出需要的图形，采用光斑大小60-150μm，激光功率30-80W，重复频率10-60MHz，打样速度4-20m/s，光斑重叠率90-99.5％。/n