[发明专利]半导体结构及半导体制造方法在审
| 申请号： | 201910683436.8 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110783408A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郑新立;张聿骐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例是有关半导体结构及半导体制造方法。所述半导体结构包含：衬底；有源区域，其包含夹置于两个源极/漏极区之间的沟道区；绝缘区，其从俯视图围绕所述有源区域；及电介质层，其放置在所述绝缘区与所述源极/漏极区之间的界面上方且与所述界面接触。本发明实施例还公开一种制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 源极/漏极区 绝缘区 源区域 半导体制造 电介质层 界面接触 俯视图 沟道区 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：/n衬底；/n有源区域，其包含沟道区及两个源极/漏极区，所述沟道区夹置于所述两个源极/漏极区之间；/n绝缘区，其从俯视图围绕所述有源区域；及/n电介质层，其放置于所述绝缘区与所述源极/漏极区之间的界面上方且覆盖所述界面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910683436.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路及其制造方法
- 下一篇：具有低闪烁噪声的半导体装置和其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
