[发明专利]PZT图形化方法在审
| 申请号： | 201910680688.5 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110364425A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋中原;许开东;车东晨;谷志强;韩大建;冯英雄;刘鹏;刘建;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L27/11502 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了PZT图形化方法。首先在离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔内通过离子束(或反应离子等离子体)对晶圆上的PZT进行部分刻蚀，然后将晶圆从离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔传输至反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔，在反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔内通过反应离子等离子体(或离子束)对晶圆上的PZT进行二次刻蚀；上述过程中，晶圆始终处于真空中；重复上述过程，直至PZT刻蚀完全。本发明结合了离子束刻蚀和反应离子等离子体刻蚀，消除了单一刻蚀法带来的侧壁沉积和损伤，提高了刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应离子 等离子体 离子束 刻蚀腔 晶圆 刻蚀 图形化 等离子体刻蚀 离子束刻蚀 二次刻蚀 侧壁 沉积 损伤 传输 重复 | ||
【主权项】：
1.一种PZT图形化方法，其特征在于：首先在离子束刻蚀腔内通过离子束对晶圆上的PZT进行部分刻蚀，然后将晶圆从离子束刻蚀腔传输至反应离子等离子体刻蚀腔，在反应离子等离子体刻蚀腔内通过反应离子等离子体对晶圆上的PZT进行二次刻蚀；上述过程中，晶圆始终处于真空中；重复上述过程，直至PZT刻蚀完全。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏鲁汶仪器有限公司，未经江苏鲁汶仪器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910680688.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体处理设备零部件的清洗方法
- 下一篇：显示面板母板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
