[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910680569.X | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN111180506A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李准原;权赫宇;金益秀;崔炳德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构在所述衬底上并且包括焊盘图案，所述焊盘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；多个下电极，所述多个下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上；以及氢供应层，所述氢供应层包含氢，位于所述下电极之间，并且比所述介电层更靠近所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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