[发明专利]一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201910678718.9 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110459471B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李柳暗 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/201;H01L29/423;G01N27/414 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体传感器技术领域，更具体地，涉及一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法。包括以下步骤：S1.在n型GaN衬底上生长高阻绝缘的GaN过渡层作为背栅的介质层；S2.在高阻绝缘的GaN过渡层上生长GaN沟道层；S3.在沟道层表面生长AlGaN薄势垒层；S4.沉积欧姆接触电极；S5.生长介质层掩盖电极及接入区只露出顶栅极探测区域。本发明提供的一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法，生长薄势垒AlGaN层，利用氮化硅钝化层覆盖传感区域以外部分提升接入区的二维电子气浓度及迁移率；利用薄势垒层结构，可实现高的跨导，并结合背栅电极与沟道的电容耦合作用，从而获得突破能斯脱极限的探测感度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 gan ph 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法，其特征在于，利用薄势垒层(4)结构，实现高的跨导；结合背栅电极与沟道的电容耦合作用，获得突破能斯托极限的探测感度；具体包括以下步骤：/nS1.在n型GaN衬底(1)上生长高阻绝缘的GaN过渡层(2)作为背栅的介质层(6)；/nS2.在高阻绝缘的GaN过渡层(2)上生长GaN沟道层(3)；/nS3.在沟道层(3)表面生长AlGaN薄势垒层(4)；/nS4.沉积欧姆接触电极(5)；/nS5.生长介质层(6)掩盖电极及接入区只露出顶栅极探测区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910678718.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双极型晶体管及其制造方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
