[发明专利]一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体有效
| 申请号： | 201910674058.7 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112281220B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 郭少聪;王军;陈小芳;周维;蔡凯;黄晓升;崔孟华 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 籽晶 及其 处理 方法 晶体 | ||
【主权项】：
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