[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910670492.8 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111146205B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 郑如真 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括通过穿过层叠结构的狭缝和至少一个开口用导电图案替换牺牲层。该层叠结构包括层间绝缘层和牺牲层。层间绝缘层和牺牲层包围支撑件并且彼此交替地层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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