[发明专利]具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201910666380.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110451954B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;吴双昊;沈波 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法，该压电薄膜的化学组成为(0.85‑x)Bi |
||
| 搜索关键词： | 具有 压电 系数 钛酸铋钠基低铅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜，其特征在于，该压电薄膜的化学组成为(0.85-x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.15PbTiO3–xBiInO3，其中x为摩尔分数，x＝0～0.03，且不为0。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910666380.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
