[发明专利]阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910664067.8 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110518074B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈大正;张春福;吴艺聪;赵胜雷;张雅超;朱卫东;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/41 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管器件，主要解决现有GaN肖特基二极管器件无法满足更大电流以及更大功率应用需求的问题，其自下而上包括：衬底(1)、高阻Buffer层(2)、AlGaN势垒层(3)、AlN插入层(4)和GaN层(5)；GaN层(5)上设有钝化层(6)和阴极(7)，钝化层(6)和阴极(7)上设有介质层(8)；高阻Buffer层、AlGaN势垒层、AlN插入层、GaN层、钝化层和介质层内贯穿有凹槽(9)，该凹槽上设有阳极(10)，且阴极和阳极采用阳极环与阴极环的同心交替嵌套结构。本发明提高了阳极利用率，增大了电流密度，可用于微波整流、限幅器、功率开关和功率转换电路。 | ||
| 搜索关键词： | 阴阳 交替 电流 gan 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管，自下而上包括：衬底(1)、高阻Buffer层(2)、AlN插入层(3)、AlGaN势垒层(4)、和GaN层(5)，GaN层(5)上设有钝化层(6)和阴极(7)，钝化层(6)和阴极(7)上设有介质层(8)；高阻Buffer层(2)、AlN插入层(3)、AlGaN势垒层(4)、GaN层(5)、钝化层(6)和介质层(8)内贯穿有凹槽(9)，该凹槽(9)上设有阳极(10)，其特征在于：/n阳极(10)采用以实心圆为中心，外部分布有多个阳极开口圆环；阴极(7)采用分布在阳极环之间的多个阴极开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心交替嵌套结构；/n阳极环与阴极环之间的间距均为1μm－50μm，且最大开口圆环半径为90μm－120μm；中心的阳极实心圆半径为0.5μm－3μm，阳极圆环与阴极圆环宽度均为1μm－5μm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910664067.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
- 下一篇：一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用
- 同类专利
- 专利分类
