[发明专利]构建激光再晶化Si-Ge互扩抑制模型及制备Ge/Si虚衬底的方法有效
| 申请号： | 201910648698.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110534407B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张超 | 申请（专利权）人： | 上海先积集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种构建激光再晶化Si‑Ge互扩抑制模型及制备Ge/Si虚衬底的方法，本发明的模型构建方法针对激光再晶化Si衬底上Ge外延层的过程中Si‑Ge存在相互扩散问题，建立热方程、Si‑Ge相互扩散系数以及述Si‑Ge相互扩散方程，通过模型推导与仿真，建立了激光再晶化Si‑Ge互扩抑制模型，根据所述Si‑Ge互扩抑制模型可以优化激光再晶化工艺参数，使得激光再晶化制备Ge/Si虚衬底过程中，抑制Si‑Ge相互扩散现象，为激光再晶化技术制备高质量的Si衬底上Ge外延层提供重要技术参考。 | ||
| 搜索关键词： | 构建 激光 再晶化 si ge 抑制 模型 制备 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种构建激光再晶化Si-Ge互扩抑制模型的方法，其特征在于，包括：/nS1：获取Si-Ge相互扩散方程；/nS2：建立Si-Ge相互扩散系数与浓度的模型以及Si-Ge相互扩散系数与温度的模型；/nS3：根据Si-Ge相互扩散系数与浓度的模型和Si-Ge相互扩散系数与温度的模型，得到Si-Ge相互扩散系数；/nS4：构建激光再晶化工艺的热方程；/nS5：根据所述热方程、所述Si-Ge相互扩散系数和所述Si-Ge相互扩散方程，通过仿真建立激光再晶化Si-Ge相互扩散模型；/nS6：根据所述激光再晶化Si-Ge相互扩散模型的仿真结果，建立Si-Ge互扩抑制模型。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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